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半导体
失效分析
失效点定位分析
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       项目简介
 
       失效定位在不破坏样品或者部分破坏样品的情况下,定位出失效问题的物理位置。。
 

       检测范围

       通常使用的分析方法包括X-ray, Thermal, CSAM, EMMI, OBIRCH, TDR等。

       EMMI——侦测各种组件缺陷所产生的漏电等,闸极氧化层缺陷(Gate oxide defects)、静电放电破坏(ESD Failure)、在电路验证中产生闩锁效应(Latch Up)及漏电(Leakage)接面漏电(Junction Leakage)、顺向偏压(Forward Bias)及在饱和区域操作的晶体管,均可由EMMI定位。

       OBIRCH——微光显微、激光失效定位、热成像显微仪、原子力探针等。

 

advantage
海怀优势

仪器设备

借助2000+大型仪器设备和丰富的处理方案,针对各行业研发分析中的难题,提供技术支撑和指导。

技术团队

由20多名博士、100余名硕士组成的技术过硬、经验丰富的技术团队,具备科研检测的核心竞争力。

定制化服务

根据客户需求和行业通用标准,定制化测试方案,全程跟踪测试情况。

能力全面

在华东、华中、华北、西北地区分别建有大型综合检测基地,具有行业顶尖的检验检测分析实验室。